Alcune informazioni sulle RAM (memorie)

Cosa sono i Pin delle memorie
Per Pin si intendono i contatti elettrici (generalmente in rame) che vanno ad inserirsi negli slot (alloggiamenti). Le varie tipologie di RAM sono caratterizzate da un numero di pin differenti.

Funzionamento e concetto di refresh
Per capire meglio il funzionamento e il concetto di refresh di una RAM dinamica, facciamo un semplice esempio: supponiamo che il condensatore sia un recipiente in grado di contenere un litro di acqua ed il transistor un rubinetto posto alla sommità del recipiente stesso. Se il contenitore è vuoto, il sistema legge "0", altrimenti "1". Purtroppo il recipiente ha delle perdite e quindi dopo un po' di tempo la quantità di liquido nel contenitore non sarà più di un litro e quindi il sistema non è più in grado di lettere "1". Per questo motivo è necessario, dopo un certo periodo, aprire il rubinetto e ristabilire il livello dell'acqua.

SRAM (Static Random Access Memory)
L'elemento di memoria base di questa tipologia di RAM è formato dalla cella di 6 transistor comunemente chiamata cella 6-T. Il vantaggio di questo tipo di RAM risiede nel basso consumo e nell'elevata velocità. Lo svantaggio principale è il numero di transistor presenti per l'elemento di memoria base che ne rende difficile l'integrabilità.

DRAM (Dinamic Random Access Memory)
Questa tipologia è costituita da un transistor ed un condensatore. Il transistor funge da interruttore per il condensatore e permette di caricarlo o scaricarlo a seconda che debba essere memorizzato da "1" o da "0". A differenza delle SRAM, a causa delle correnti passanti, il condensatore perde la propria carica (informazione) nel tempo e quindi è necessario ripristinare il suo valore periodicamente riscrivendo il dato presente. Durante il refresh della memoria non è possibile accedere a questa nè in scrittura, nè in lettura. Questo comporta una velocità di accesso minore rispetto alla tipologia SRAM, ed a causa del circuito di refresh un consumo maggiore. L'accesso della DRAM in lettura e scrittura è asincrono e governato da due segnali RAS e CAS (Row Access Strobe, Column Access Strobe). Il vantaggio delle DRAM risiede nella loro grande integrabilità, dato che il singolo elemento di memoria è formato da solo due componenti.

SDRAM (Syncronous Dinamic Access Memory)
Le memorie SDRAM si distinguono dalle sorelle DRAM esclusivamente per il fatto che l'accesso ai contenuti immagazzinati è governato da un segnale di clock.

SDRAM DDR (Sincronous Dinamic Random Access Memory Double Data Rate)
La differenza rispetto alle SDRAM risiede nel fatto che l'accesso ai dati è eseguito sia sui fronti di salita che di discesa del segnale di clock. In questo modo è possibile raddoppiare la velocità di trasferimento dei dati ottenendo un Data Rate doppio rispetto alle SDRAM. La memoria viene organizzata in due banchi separati, dove in uno sono contenute le posizioni pari (accessibili nel fronte di salita del clock) e nell'altro le posizioni dispari (accessibili nel fronte di discesa del segnale di clock).

DDR2
Sono l'evoluzione naturale delle DDR e rispetto a queste funzionano con una velocità di clock maggiore (la velocità del clock è espressa in Mhz). Altri miglioramenti, oltre all'aumento della velocità di accesso, consistono nelle maggiori dimensioni del buffer ed in un consistente risparmio di energia rispetto alle normali DDR.